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芯片制造是一项非常复杂的工程，基本上每一个环节都达到了人类工业的极限，藏从设备供应商到原料供应商无一不是行业的巨头，而且这个行业还有高度集中化的特点，领先者吃肉跟进者喝汤，落后的喝西北风。~酷!虎文#学)
目前世界上主要的芯片制造商的晶圆厂都集中在东亚地区，其中最强的是台积电tsmc（台湾最后的荣耀，传说中“全世界的高科技，没有台湾他做不出来”，指的就是台积电。湾湾跟陆陆撕逼的精神支柱，真·台湾之光）。芯片工艺水平仅次于英特尔，芯片代工业的绝对老大。
其次还是台湾的企业台联电umc，成立于1980年“零七零”的联电（UmC），早于台积电（TSmC）创建，曾经领导了中国台湾地区半导体业的发展。联电也是台湾第一家上市的半导体公司（1985年）。然而老总是个傻逼+台毒，现在已经远不是台积电的对手了，甚至还有可能被格罗方德（原Amd分拆出的晶圆厂）和三星（棒子太拼了）超过，华夏的中芯国际也在后面虎视眈眈，日子不太好过了。
再接着就是格罗方德也就是俗称Amd女朋友的公司（GLoBALFoUNdRIES，GF），不过这个女朋友最近不怎么给力，在28nm这个关键节点上一拖再拖，台积电已经宣布28nm量产了格罗方德还没有突破，坑惨了Amd。
三星半导体部门潜力巨大，背靠世界级企业三星，发展速度非常快有望在两年超过格罗方德和台联电成为业界第二。
至于中芯国际，只能说未来是光明的，道路是曲折的……买来的光刻机只能给外国公司代工，华夏自己IC公司的芯片都不可以流片，处处受制于人。
目前在28nm制程这个节点上芯片制造工艺主要有两种，FinFET和Fd-SoI。
Fd-SoI工艺，SoI全名为SilicononInsulator，是指单晶硅体结构在绝缘体之上的意思，原理就是在单晶硅体之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升频率，并减少漏电成为省电的IC，在制程上还可以省略部分光罩以节省成本，因此不论在制程上或是电路上都有其优势。（酷*虎—）
FinFET全称FinField-EffectTransistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长，FinFET具有功耗低，面积小的优点，目前主流的晶圆厂采用的都是该项工艺，包括英特尔的22nm制程，台积电的28nm制程都是这种工艺。
看起来似乎是FinFET更好一点，毕竟世界大厂都采用了这项技术，不过对于曾泽来说Fd-SoI更合适，单纯从技术角度来说其实Fd-SoI的潜力更大一些，不过硅片上的处理较为复杂，价格也非常高昂。
一片8英寸的SoI售价高达500美元以上，而且全世界只有法国的Soitec公司可以批量提供，而普通的体硅片一片只要30-40美元，要知道单晶硅片要要占到芯片物料成本的50%！因而没有公司愿意大规模采用Fd-SoI工艺，哪怕它的潜力更大。
而曾泽在单晶硅片方面的技术是世界上最好的，所以可以使用功耗更低工艺更加简单成本也更低的Fd-SoI技术。
其实本来按照曾泽的打算能搞来45nm制程水平的光刻机就不错了，只不过没想到小日本这么给力，一下子到手了两台最先进的nsr-s620d光刻机，虽然有不少问题但是这台机器是可以用到20nm制程的！
也就是说曾泽一步就来到了和英特尔台积电相同的平台之上了，接下来就是看看是功力深厚历史悠久的英特尔台积电更强，还是曾泽这个挂比更厉害了. ....
对于其他公司来说一个很大的成本就是实验新工艺，芯片制造生产线运行的成本是很高的，打一次样可能就需要上千万美元……
这又是老曾同志的无可比拟的优势，让贾维斯跑模拟一毛钱都不用花，连电费都不要，基本上可以完全模拟现实生产状态，所以曾泽在研发上可以节省90%的资金，95%以上的时间。
和其他公司砸钱砸时间堆工艺，曾泽这基本上算是零成本了。
随着各项设备的调试完毕，特别是尼康光刻机上问题都一一解决，曾泽的晶圆厂也开始慢慢步入正轨，为了保险起见，曾泽选择了32nm制程作为第一阶段的生产目标，因为贾维斯表示32nm制程已经被他优化到了极限，各项技术3.2非常成熟，按照现有的生产线良品率会非常的出色，可以达到95%以上！
95%的良品率是什么概念呢？芯片代工业的老大台积电40nm制程的良品率目前是90%，其他代工公司基本上是70%-80%。
而且32nm制程本身和28nm是同一代的工艺，贾维斯用了相当于英特尔六年研发时间的运算量来跑32nm的工艺，在实际表现上已经远远超过28nm了。
曾泽本来设计成本就低，研发成本也低，采用的工艺成本也低，现在制造成本也低……性能还更好。
喂台积电，就问你怕不怕？。
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